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高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定

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關(guān)于組織申報(bào)首批廣東省工程研究中心的通知
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各有關(guān)單位:

  按照廣東省發(fā)展改革委通知要求,現(xiàn)圍繞我市半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域發(fā)展需求,組織開展首批廣東省工程研究中心申報(bào)。有關(guān)事項(xiàng)通知如下:

  一、申報(bào)基本條件

 ?。?)申報(bào)單位應(yīng)從事相關(guān)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā),具備良好的產(chǎn)學(xué)研合作基礎(chǔ);擁有一批能夠帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高水平技術(shù)研發(fā)成果和技術(shù)儲(chǔ)備,部分成果已成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化;能為省工程研究中心的建設(shè)和運(yùn)行提供資金支持。

 ?。?)工程研究中心建設(shè)項(xiàng)目要有明確可行的發(fā)展思路、研發(fā)任務(wù)和建設(shè)目標(biāo);建設(shè)方案合理,管理和運(yùn)行機(jī)制規(guī)范;項(xiàng)目要有新增固定資產(chǎn)投資(建筑工程或新購置設(shè)備),建設(shè)期一般不超過3年。

 ?。?)在本行業(yè)具有較強(qiáng)的影響力,研發(fā)人員總數(shù)不少于50人,其中專職研發(fā)人員不少于30人。

 ?。?)研發(fā)設(shè)備原值:設(shè)計(jì)類不少于1000萬元,制造類不少于3000萬元,

  (5)研發(fā)場(chǎng)地不少于2000平方米。

  (6)主持(承擔(dān))過省級(jí)以上科研計(jì)劃或主持(參與)過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定。

  (7)在深圳市發(fā)改委不存在逾期未驗(yàn)收的已獲資助項(xiàng)目。

  (8)已在市發(fā)改委獲批市級(jí)工程研究中心的,本次不得申報(bào)同一領(lǐng)域的省級(jí)工程研究中心。

  二、申報(bào)領(lǐng)域

  重點(diǎn)資助半導(dǎo)體及集成電路以下領(lǐng)域:

  1.芯片設(shè)計(jì)。(1)圍繞高端芯片研發(fā)設(shè)計(jì)需要,建設(shè)芯片設(shè)計(jì)工具軟件研發(fā)和測(cè)試平臺(tái),開展數(shù)字電路EDA工具核心技術(shù)攻關(guān),推動(dòng)模擬或數(shù)?;旌想娐稥DA工具軟件實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)全覆蓋,開展EDA云上架構(gòu)和應(yīng)用AI技術(shù)研發(fā),開展TCAD、封裝EDA工具開發(fā),以及底層算法與機(jī)構(gòu)技術(shù)的研發(fā),提升自主研發(fā)工具軟件國產(chǎn)化水平,增強(qiáng)對(duì)高端芯片設(shè)計(jì)的服務(wù)功能。(2)面向重點(diǎn)領(lǐng)域高端通用芯片的市場(chǎng)需求,建設(shè)芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、模擬仿真和測(cè)試平臺(tái),開展射頻芯片(含毫米波芯片)、第三代半導(dǎo)體芯片、傳感器芯片、基帶芯片、光通信芯片、顯示驅(qū)動(dòng)芯片、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級(jí)AI芯片等專用芯片設(shè)計(jì),探索開展太赫茲芯片研發(fā),提升高端芯片設(shè)計(jì)能力和工程化驗(yàn)證能力。

  2.芯片工藝制程。圍繞高端芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)問題,建設(shè)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、中試和測(cè)試平臺(tái),開展FinFET特色工藝制程、先進(jìn)工藝制程開發(fā),探索FDSOI等新技術(shù)路徑開發(fā),提升芯片生產(chǎn)制造技術(shù)水平,滿足射頻芯片、顯示驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品生產(chǎn)制造需求。

  3.先進(jìn)封裝測(cè)試。圍繞提升芯片封裝測(cè)試競(jìng)爭(zhēng)力,建設(shè)先進(jìn)封裝測(cè)試研發(fā)和工程化驗(yàn)證平臺(tái),開展晶圓級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級(jí)扇出型封裝、三維封裝、真空封裝等先進(jìn)封裝技術(shù),以及脈沖序列測(cè)試、MEMS探針、IC集成探針卡等先進(jìn)晶圓級(jí)測(cè)試技術(shù)開發(fā),開展超高速光通信核心器件與模塊封測(cè)技術(shù)開發(fā),為封裝測(cè)試工藝技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能提升提供重要研發(fā)平臺(tái)支撐。

  4.關(guān)鍵材料與器件。針對(duì)半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵材料及器件薄弱環(huán)節(jié),建設(shè)關(guān)鍵材料與器件研發(fā)及工程化驗(yàn)證平臺(tái),開展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料以及化合物半導(dǎo)體器件和模塊的開發(fā),開展氟聚酰亞胺、光刻膠等電子化學(xué)品材料以及納米級(jí)陶瓷粉體、微波陶瓷粉體等元器件關(guān)鍵材料研發(fā),著力提升關(guān)鍵材料與器件在芯片生產(chǎn)制造中的市場(chǎng)應(yīng)用水平。

  5.關(guān)鍵裝備與零部件。針對(duì)芯片生產(chǎn)制造中關(guān)鍵設(shè)備及零部件短板問題,建設(shè)芯片生產(chǎn)制造關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā)及工程化驗(yàn)證平臺(tái),開展光學(xué)和電子束光刻機(jī)關(guān)鍵部件、先進(jìn)封裝技術(shù)專用設(shè)備研發(fā),開展缺陷檢測(cè)設(shè)備、激光加工設(shè)備、半導(dǎo)體器件巨量組裝設(shè)備等整機(jī)設(shè)備研發(fā),以及高精密陶瓷零部件、射頻電源、高速高清投影鏡頭等設(shè)備關(guān)鍵零部件研發(fā),推動(dòng)關(guān)鍵設(shè)備及零部件在芯片生產(chǎn)制造中的應(yīng)用。(咨詢電話:88127158,88103359)

  6.前沿技術(shù)綜合創(chuàng)新。面向半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì),建設(shè)新一代半導(dǎo)體及集成電路綜合研發(fā)平臺(tái),圍繞工具軟件、芯片架構(gòu)、芯片設(shè)計(jì)、特色工藝制程、半導(dǎo)體新材料、生產(chǎn)設(shè)備核心部件等環(huán)節(jié),開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),積極開展混合集成、異構(gòu)集成等技術(shù)研發(fā),加強(qiáng)多種技術(shù)路線探索,加速先進(jìn)適用技術(shù)在半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

  三、申報(bào)方式

  1.項(xiàng)目單位需編制完成資金申請(qǐng)報(bào)告(參見附件1)和項(xiàng)目基本信息表(參見附件2、附件3),壓縮打包命名為“XX公司-XX方向-省工程研究中心申報(bào)”(如:甲公司-1.芯片設(shè)計(jì)-省工程研究中心申報(bào)),郵件發(fā)送至gjsc@fgw.sz.gov.cn。

  2.請(qǐng)申報(bào)單位提前在區(qū)(新區(qū))發(fā)展改革部門做好項(xiàng)目備案或核準(zhǔn)工作。在線登錄廣東省政務(wù)服務(wù)網(wǎng)(深圳市),選擇申報(bào)單位所在相應(yīng)的區(qū),進(jìn)行“企業(yè)投資項(xiàng)目備案”。備案證書作為附件編入資金申請(qǐng)報(bào)告文件。

  3.申報(bào)單位對(duì)申報(bào)材料真實(shí)性負(fù)責(zé),并出具承諾書作為附件編入資金申請(qǐng)報(bào)告(附件3)。

  4.申報(bào)時(shí)間為2020年7月31日至8月9日,逾期不再受理。

  深圳市發(fā)展和改革委員會(huì)

  2020年7月31日

 


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